СТРУКТУРА І ДЕЯКІ ФІЗИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ПІДГРУПИ ЦИНКУ
Сполука Тип кристалічної гратки Періоди кристалічної гратки, А Температура плавлення, оК Густина, г/см3 Ширина забороненої зони Теплота утворення, ккал/моль
HgS метациннабарит (куб.) а = 5,850  2023  7,67  0,7  10,5 
  циннабарит (тригон.) а = 4,146 
с = 9,497
2023 8,18 1,8-2,10 17,0
  гама-фаза 
(гекс.)
а = 6,86 
с = 14,07
8,05
HgSe сфалерит (куб.) а = 6,084 1072 7,1-8,9 0,5-0,7
  вюртцит (гекс.) а = 4,30 
с = 7,03
HgTe сфалерит (куб.)  а = 6,453  943 8,17  0,025  2-3 
  вюртцит (гекс.) а = 4,58 
с = 7,46
943
CdS сфалерит (куб.)  а = 5,82  –  – 
  вюртцит (гекс.) а = 4,14 
с = 6,72
2023 4,82 2,48 34,5
CdSe сфалерит (куб.)  а = 6,04  –  –  – 
  вюртцит (гекс.) а = 4,30 
с = 7,02
1623 5,81 1,74 25,0
CdTe сфалерит (куб.)  а = 6,46  1322 6,20 1,48 24,3
  вюртцит (гекс.) а = 4,58 
с = 7,50
ZnS сфалерит (куб.)  а = 5,43  1293  4,10  3,60  48,5 
  вюртцит (гекс.) а = 5,82 
с = 6,25
2173 4,09 3,55 45,3
ZnSe сфалерит (куб.)  а = 5,653  1873 5,42 2,60 34,0
  вюртцит (гекс.) а = 4,00 
с = 6,55
ZnTe сфалерит (куб.)  а = 6,105  1512 6,34 2,18 30
  вюртцит (гекс.) а = 4,31 
с = 7,09
MgS сфалерит (куб.) а = 5,195 - 3,20 3,8 -
MgSe сфалерит (куб.) а = 5,454 - 3,42 3,6 -

ТИПИ ОРІЄНТАЦІЇ ДЛЯ
ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОГЕНІДІВ ПІДГРУПИ ЦИНКУ
В ЗАЛЕЖНОСТІ ВІД ПРИРОДИ І ТЕМПЕРАТУРИ ПІДКЛАДКИ

Сполука Природа і температура (Тп) підкладки Структура плівки Тип орієнтації
Сульфід цинку цапонлак 
п = 300о К)
аморфна відсутня
  NaCl, площина(100), 110, ІІІ; 
п = 300о К)
аморфна відсутня
  NaCl, площина (100) 
п = 670оК)
a текстура [1010]
  NaCl, площина (110) 
п = 570оК)
b (110) [110] ZnS ІІ (100) [110 ] NaCl
  NaCl, площина (111), 
п = 570оК)
a (0001) ZnS ІІ(111) NaCl
  NaCl, площина (100), 
п = 290-470оК)
b  
  NaCl, KBr, площина (100), 
п = 290-370оК)
a + b відсутня
  NaCl, площина (100) 
п = 620оК)
a + b (100) [110] ZnS ІІ (100) [110] підкл.
  NaCl, KBr площина (100) 
п = 550оК)
a + b (0001) a-ZnS ІІ(111) b-ZnS
Селенід цинку шкло, кварц 
п = 770оК)
b (111) ZnSe II підкл.
  кварц, 
п = 1050-1070оК)
a 0001 ZnSe 1підкл.
  NaCl, площина (100), (111) a + b (111) [110] b-ZnSe ІІ 
(0001) [1120] a-ZnSe
Телурид цинку шкло 
п = 570-770оК)
b (111) ZnTeII підкл.
  шкло 
п = 510-620оК)
a + b (0001) a-ZnTe II (111) b-ZnTe
Сульфід кадмію шкло, цапонлак 
п =  -120-300оК)
аморфна відсутня
  шкло 
п = 370-520оК)
a + b (111) b-CdS II (0001) a-CdS
  шкло 
п = 520-720оК)
a + b (0001) CdS підкл. (1013), (1015) ІІ підкл.
  ситал 
п = 440-470оК), 
п = 970-1010оК)
  [0001] a - CdS ІІ [111] b - CdS
  слюда 
п = 540-720оК)
a (0001) CdS ІІ (0001) підкл. [1010] CdS ІІ (1010) підкл.
  слюда 
п = 470-570оК)
a + b (0001) a-CdS ІІ (0001) підкл. [1120] a-CdS ІІ [1120] підкл.
  монокрист. 
п = 470-570оК)
a + b (0001) a-CdS ІІ (111) Ag 
(111) b-CdS ІІ (111) Ag 
іноді: (1013) a-CdS
  NaCl, площина (100) 
п = 300оК)
аморфна 
a + b
відсутня
  NaCl, площина (111) 
п = 570оК)
a (0001) CdS ІІ (111) NaCl
  NaCl, площина (111) 
п = 620 -720 оК)
a текстура [0001]
  NaCl, 
п = 300оК)
a (00010 CdS ІІ(100) NaCl 
[1010] CdS ІІ [110] NaCl 
[1120] CdS ІІ [110] NaCl
  NaCl, 
п = 450оК)
b (100) [110] CdS ІІ (100) [110] NaCl
  KBr, NaCl, KBr площина 100 
п = 300оК)
a відсутня
  KBr, NaCl, KBr площина (100) 
п = 570оК)
a + b (100)[110] b-CdS ІІ(100) [110] підкл.
  KCl, площина (100) 
п = 470оК)
a + b (0001) a-CdS ІІ (111) b-CdS 
[1120] a-CdS ІІ [110] NaCl
  GaAs, площина (110) a (1120) [0001] CdS ІІ (110) [110] GaAs
  Ge, монокристал a (0001) [1120] CdS ІІ (111) [112] Gе
  CdF2, монокристал a (0001) і (1010) ІІ підкл. текстура [1011]
Селенід кадмію слюда 
п = 540- 720оК)
a (0001) CdSeII (0001) підкл. 
  NaCl, площина (100) a + b (100)[110] b-CdSе ІІ (100) [100] NaCl 
(0001) [1120]
  NaCl, площина (111), 
п = 520оК)
a a-CdSе ІІ (100) [110] NaCl 
(0001) ІІ (111) NaCl
Телурид кадмію шкло 
п = 370-420оК)
b (111) CdTe II підкл.
  слюда 
п = 570оК)
a + b (111) [110] b-CdТе ІІ (1120) [1120] підкл. (111) [110] b-CdТе ІІ (0001) [1120] a-CdТе
  NaCl, площина (111) 
п = 470-570оК)
a + b (0001) a-CdТе ІІ (111) NaCl
  KBr, площина (100) 
п = 620-650оК)
b (100) CdТе ІІ (100) KBr, двійики по (111)
Сульфід ртуті цапонлак 
п = 300оК)
аморфна відсутня
  NaCl, KCl, KBr площина (100) 
п = 290-420оК)
a + b + g   
  NaCl, KCl, KBr площина (100) 
п = 420-470оК)
b (100) [100] HgS II (100) [100] підкл. 
рідко [211] HgS II [100] підкл.
Селенід ртуті цапонлак 
п = 300оК)
   
  NaCl, KCl, KBr, площина (100) 
п = 290-350оК)
куб. відсутня
  NaCl, KCl, KBr, площина (100) 
п = 350-570оК)
куб. + гекс. (111)куб. ІІ (100) підкл. 
(0001) гекс. ІІ (100) підкл. 
(111) куб. ІІ (0001) гекс.
  NaCl, KCl, KBr, площина (100) 
п = 570-620оК)
  (100) [100] куб. ІІ (100) [110] підкл.
Телурид ртуті Цапонлак 
п = 300оК)
   
  NaCl, KCl, KBr 
площина (100) 
п = 290-330оК)
куб  відсутня 
  NaCl, KCl, KBr 
площина (100) 
п = 330-470оК)
куб + гекс (111) куб ІІ (100) підкл 
(0001) гекс. (100) підкл 
  NaCl, KCl, KBr 
площина (100) 
п = 470-570оК)
куб [110] куб.ІІ (100)[110] підкл.

Загальні закономірності епітаксії на сколах ГЛК і слюді:


 
Main page of Viktor Prysyazhnyuk