Сполука | Тип кристалічної гратки | Періоди кристалічної гратки, А | Температура плавлення, оК | Густина, г/см3 | Ширина забороненої зони | Теплота утворення, ккал/моль |
HgS | метациннабарит (куб.) | а = 5,850 | 2023 | 7,67 | 0,7 | 10,5 |
циннабарит (тригон.) | а = 4,146
с = 9,497 |
2023 | 8,18 | 1,8-2,10 | 17,0 | |
гама-фаза
(гекс.) |
а = 6,86
с = 14,07 |
– | 8,05 | – | – | |
HgSe | сфалерит (куб.) | а = 6,084 | 1072 | 7,1-8,9 | 0,5-0,7 | – |
вюртцит (гекс.) | а = 4,30
с = 7,03 |
– | – | – | – | |
HgTe | сфалерит (куб.) | а = 6,453 | 943 | 8,17 | 0,025 | 2-3 |
вюртцит (гекс.) | а = 4,58
с = 7,46 |
943 | – | – | – | |
CdS | сфалерит (куб.) | а = 5,82 | – | – | – | – |
вюртцит (гекс.) | а = 4,14
с = 6,72 |
2023 | 4,82 | 2,48 | 34,5 | |
CdSe | сфалерит (куб.) | а = 6,04 | – | – | – | – |
вюртцит (гекс.) | а = 4,30
с = 7,02 |
1623 | 5,81 | 1,74 | 25,0 | |
CdTe | сфалерит (куб.) | а = 6,46 | 1322 | 6,20 | 1,48 | 24,3 |
вюртцит (гекс.) | а = 4,58
с = 7,50 |
– | – | – | – | |
ZnS | сфалерит (куб.) | а = 5,43 | 1293 | 4,10 | 3,60 | 48,5 |
вюртцит (гекс.) | а = 5,82
с = 6,25 |
2173 | 4,09 | 3,55 | 45,3 | |
ZnSe | сфалерит (куб.) | а = 5,653 | 1873 | 5,42 | 2,60 | 34,0 |
вюртцит (гекс.) | а = 4,00
с = 6,55 |
– | – | – | – | |
ZnTe | сфалерит (куб.) | а = 6,105 | 1512 | 6,34 | 2,18 | 30 |
вюртцит (гекс.) | а = 4,31
с = 7,09 |
– | – | – | – | |
MgS | сфалерит (куб.) | а = 5,195 | - | 3,20 | 3,8 | - |
MgSe | сфалерит (куб.) | а = 5,454 | - | 3,42 | 3,6 | - |
ТИПИ ОРІЄНТАЦІЇ ДЛЯ
ТОНКИХ ПЛІВОК ХАЛЬКОГЕНІДІВ ПІДГРУПИ
ЦИНКУ
В ЗАЛЕЖНОСТІ ВІД ПРИРОДИ І ТЕМПЕРАТУРИ
ПІДКЛАДКИ
Сполука | Природа і температура (Тп) підкладки | Структура плівки | Тип орієнтації |
Сульфід цинку | цапонлак
(Тп = 300о К) |
аморфна | відсутня |
NaCl, площина(100), 110, ІІІ;
(Тп = 300о К) |
аморфна | відсутня | |
NaCl, площина (100)
(Тп = 670оК) |
a | текстура [1010] | |
NaCl, площина (110)
(Тп = 570оК) |
b | (110) [110] ZnS ІІ (100) [110 ] NaCl | |
NaCl, площина (111),
(Тп = 570оК) |
a | (0001) ZnS ІІ(111) NaCl | |
NaCl, площина (100),
(Тп = 290-470оК) |
b | ||
NaCl, KBr, площина (100),
(Тп = 290-370оК) |
a + b | відсутня | |
NaCl, площина (100)
(Тп = 620оК) |
a + b | (100) [110] ZnS ІІ (100) [110] підкл. | |
NaCl, KBr площина (100)
(Тп = 550оК) |
a + b | (0001) a-ZnS ІІ(111) b-ZnS | |
Селенід цинку | шкло, кварц
(Тп = 770оК) |
b | (111) ZnSe II підкл. |
кварц,
(Тп = 1050-1070оК) |
a | 0001 ZnSe 1підкл. | |
NaCl, площина (100), (111) | a + b |
(0001) [1120] a-ZnSe |
|
Телурид цинку | шкло
(Тп = 570-770оК) |
b | (111) ZnTeII підкл. |
шкло
(Тп = 510-620оК) |
a + b | (0001) a-ZnTe II (111) b-ZnTe | |
Сульфід кадмію | шкло, цапонлак
(Тп = -120-300оК) |
аморфна | відсутня |
шкло
(Тп = 370-520оК) |
a + b | (111) b-CdS II (0001) a-CdS | |
шкло
(Тп = 520-720оК) |
a + b | (0001) CdS підкл. (1013), (1015) ІІ підкл. | |
ситал
(Тп = 440-470оК), (Тп = 970-1010оК) |
[0001] a - CdS ІІ [111] b - CdS | ||
слюда
(Тп = 540-720оК) |
a | (0001) CdS ІІ (0001) підкл. [1010] CdS ІІ (1010) підкл. | |
слюда
(Тп = 470-570оК) |
a + b | (0001) a-CdS ІІ (0001) підкл. [1120] a-CdS ІІ [1120] підкл. | |
монокрист.
(Тп = 470-570оК) |
a + b | (0001) a-CdS ІІ (111) Ag
(111) b-CdS ІІ (111) Ag іноді: (1013) a-CdS |
|
NaCl, площина (100)
(Тп = 300оК) |
аморфна
a + b |
відсутня | |
NaCl, площина (111)
(Тп = 570оК) |
a | (0001) CdS ІІ (111) NaCl | |
NaCl, площина (111)
(Тп = 620 -720 оК) |
a | текстура [0001] | |
NaCl,
(Тп = 300оК) |
a | (00010 CdS ІІ(100) NaCl
[1010] CdS ІІ [110] NaCl [1120] CdS ІІ [110] NaCl |
|
NaCl,
(Тп = 450оК) |
b | (100) [110] CdS ІІ (100) [110] NaCl | |
KBr, NaCl, KBr площина 100
(Тп = 300оК) |
a | відсутня | |
KBr, NaCl, KBr площина (100)
(Тп = 570оК) |
a + b | (100)[110] b-CdS ІІ(100) [110] підкл. | |
KCl, площина (100)
(Тп = 470оК) |
a + b | (0001) a-CdS ІІ (111) b-CdS
[1120] a-CdS ІІ [110] NaCl |
|
GaAs, площина (110) | a | (1120) [0001] CdS ІІ (110) [110] GaAs | |
Ge, монокристал | a | (0001) [1120] CdS ІІ (111) [112] Gе | |
CdF2, монокристал | a | (0001) і (1010) ІІ підкл. текстура [1011] | |
Селенід кадмію | слюда
(Тп = 540- 720оК) |
a | (0001) CdSeII (0001) підкл. |
NaCl, площина (100) | a + b | (100)[110] b-CdSе ІІ (100) [100] NaCl
(0001) [1120] |
|
NaCl, площина (111),
(Тп = 520оК) |
a | a-CdSе ІІ (100) [110] NaCl
(0001) ІІ (111) NaCl |
|
Телурид кадмію | шкло
(Тп = 370-420оК) |
b | (111) CdTe II підкл. |
слюда
(Тп = 570оК) |
a + b | (111) [110] b-CdТе ІІ (1120) [1120] підкл. (111) [110] b-CdТе ІІ (0001) [1120] a-CdТе | |
NaCl, площина (111)
(Тп = 470-570оК) |
a + b | (0001) a-CdТе ІІ (111) NaCl | |
KBr, площина (100)
(Тп = 620-650оК) |
b | (100) CdТе ІІ (100) KBr, двійики по (111) | |
Сульфід ртуті | цапонлак
(Тп = 300оК) |
аморфна | відсутня |
NaCl, KCl, KBr площина (100)
(Тп = 290-420оК) |
a + b + g | ||
NaCl, KCl, KBr площина (100)
(Тп = 420-470оК) |
b |
рідко [211] HgS II [100] підкл. |
|
Селенід ртуті | цапонлак
(Тп = 300оК) |
||
NaCl, KCl, KBr, площина (100)
(Тп = 290-350оК) |
куб. | відсутня | |
NaCl, KCl, KBr, площина (100)
(Тп = 350-570оК) |
куб. + гекс. | (111)куб. ІІ (100) підкл.
(0001) гекс. ІІ (100) підкл. (111) куб. ІІ (0001) гекс. |
|
NaCl, KCl, KBr, площина (100)
(Тп = 570-620оК) |
|
||
Телурид ртуті | Цапонлак
(Тп = 300оК) |
||
NaCl, KCl, KBr
площина (100) (Тп = 290-330оК) |
куб | відсутня | |
NaCl, KCl, KBr
площина (100) (Тп = 330-470оК) |
куб + гекс |
(0001) гекс. (100) підкл |
|
NaCl, KCl, KBr
площина (100) (Тп = 470-570оК) |
куб | [110] куб.ІІ (100)[110] підкл. |
Загальні закономірності епітаксії на сколах ГЛК і слюді: